正壓送風壓力傳感器主要用于高層建筑消防正壓送風系統（前室，樓梯間，地下避難等通風）壓力的控制。該產品采用雙行四位數字顯示，分別顯示實測差壓值及控制輸出差壓值（產品可根據不同要求設定不同的控制輸出壓力值及復位壓力值）；帶報警指示燈顯示。當壓力傳感器壓力值達到設定值（25~30PA），壓力傳感器常開觸點閉合，接通樓頂旁通泄壓閥控制箱電源，處于樓頂的旁通泄壓閥打開進行送風泄壓，降低前室或樓梯間的壓力值，當壓力值降低到一定值（通常回差為25PA），壓力傳感器控制旁通泄壓閥控制箱?觸點斷開，樓頂旁通閥斷電，旁通閥閉合停止泄壓。

壓電式傳感器心乂還可以用來測定發動機

壓電式傳感器心乂還可以用來測定發動機內部燃燒壓力的測定與真空度的測定。還可以用于軍事工業，比如用它來測定炮在膛中擊發的一瞬間的膛壓的變化和炮口的沖擊波壓力。它既可以用來測定大的壓力，還可以用來測定微小的壓力。 壓電式傳感器也廣泛應用在生物醫學測定中，例如心室導管式微音器便是由壓電傳感器做成的，由于測定動態壓力是這么普遍，因此 壓電傳感器的運用就十分普遍。除開壓電傳感器之外，也有運用壓阻現象制造出來的壓阻傳感器，運用應變現象的應變式傳感器等，這種不一樣的前室壓力傳感器選型運用不一樣的現象和不一樣的材質，在不一樣的場合能夠充分發揮他們特有的用處。

化合物半導體材料硅是制作微機電器件和裝置的主要材料

四、化合物半導體材料 硅是制作微機電器件和裝置的主要材料。為了提高器件和系統的性能以及擴大應用范圍，化合物半導體材料在某些專門技術方面起著重要作用。如在紅外光、可見光及紫外光波段的成像器和探測器中，PbSe、InAs、Hg1-xCdxTe(x代表Cd的百分比)等材料得到日益廣泛的應用。 現以紅外探測器為例加以說明。利用紅外幅射與物質作用產生的各種效應發展起來的，實用的光敏探測器，主要是針對紅外幅射在大氣傳輸中透射率為清晰的3個波段（1-3μm，3-5μm，8-14μm）研制的。對于波長1-3μm敏感的探測器有PbS、InAs及Hg0.61Cd0.39Te；對于波長3-5μm敏感的探測器有InAs、PbSe及Hg0.73Cd0.27Te；對于波長8-14μm敏感的探險測器則有Pb1-xSnxTe、Hg0.8Cd0.2Te及非本征（摻雜）半導體Ge:Hg,Si:Ga及Si:Al等。其中3元合金Hg1-xCdxTe是一種本征吸收材料，通過調整材料的組分，不僅可以制成適合3個波段的器件，還可以開發更長工作波段（1-30μm）的應用，因而備受人們的關注。 須指出的是，上述材料需要在低溫（如77K）下工作。因為在室溫下，由于晶格振動能量與雜質能量的相互作用，使熱激勵的載流子數增加，而激發的光子數則明顯減少，從而降低了波長區的探測靈敏度。

硅單芯片為襯底的SiC薄膜

五、SiC薄膜材料 SiC是另一種在特殊環境下使用的化合物半導體。它由碳原子和硅原子組成。利用離子注入摻雜技術將碳原子注入單晶硅內，便可獲得的立方體結構的SiC。隨著摻雜濃度的差異得到的晶體結構不同，可表示為β-SiC。β表示不同形態的晶體結構。用離子注入法得到的SiC材料，自身的物理、化學及電學特性優異，表現出高強度、大剛度、內部殘余應力很低、化學惰性極強、較寬的禁帶寬度（近乎硅的1-2倍）及較高的壓阻系數的特性；因此，SiC材料能在高溫下耐腐蝕、抗輻射，并具有穩定的電學性質。非常適合在高溫、惡劣環境下工作的微機電選擇使用。 由于SiC單晶體材料成本高，硬度大及加工難度大，所以硅單晶片為襯底的SiC薄膜就成為研究和使用的理想選擇。通過離子注入，化學氣相淀積（VCD）等技術，將其制在Si襯底上或者絕緣體襯底（SiCOI）上，供設計者選用。例如航空發動機、火箭、及等耐熱腔體及其表面部位的壓力測量，便可選用以絕緣體為襯底的SiC薄膜，作為感壓元件（膜片），并制成高溫壓力微傳感器，實現上述場合的壓力測量。測壓時的工作溫度可達到600℃以上。